絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュールおよび駆動回路付絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123431
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317495
出願日： 1998年05月06日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】インバータ装置、直流チョッパ装置等に使用される絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール(IGBTモジュール)の構成を、駆動回路との接続部分からノイズが侵入しない構成を得る。【解決手段】 IGBTモジュールのエミッタ端子の側部に駆動回路モジュールの装着スペースを設けた構成とし、この装着スペースに回路接続端子を設けて駆動回路モジュールを直付けして駆動回路への配線をなくし、配線からのノイズの侵入が回避できる構成とした。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを集合し、コレクタ端子またはエミッタ端子の側部に段差面を設けて部材装着スペースとし、該部材装着スペースに回路接続端子を配置し、上記複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを絶縁部材で封止して集合体に形成したことを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタモジュール。

IPC (2件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055961 出願人：株式会社東芝

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