特許

J-GLOBAL ID：200903088602004660

半導体装置の製造方法

発明者： 遠藤 和彦 ,  篠田 啓介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095801
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297686
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 炭素系層間絶縁膜形成後の熱処理工程において、絶縁膜からのガス放出による積層膜の剥がれ、及び比誘電率の上昇を防止する。【解決手段】 基板上に炭素系絶縁膜を堆積後、その成膜温度以上で水素アニールを行う。アニールをおこなうと、炭素膜中の脱離しやすい成分が膜中から放出され、その後のガス放出量が低減される。また、アニール雰囲気を水素とすることにより、比誘電率の上昇が防止される。これにより、電気特性を劣化させることなく積層膜の剥がれなどの問題を解決できる。

請求項（抜粋）：

絶縁材料として炭素系絶縁膜を用いる半導体装置の製造方法において、炭素系絶縁膜を成膜する工程と、引き続き少なくとも前記炭素系絶縁膜の成膜温度以上の温度で水素雰囲気中でアニール処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘電体膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-273838   出願人：ソニー株式会社