特許
J-GLOBAL ID：200903088614362057

微結晶薄膜の成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを用いた画像表示装置

発明者：
辻村 隆俊

辻村 隆俊 について

, 
徳田 知也

徳田 知也 について


出願人/特許権者：
奇美電子股▲ふん▼有限公司

奇美電子股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311558
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146691
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】高移動度の微結晶薄膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】気相中で結合した場合に多数の原子が重合することによってポリマーを形成する元素を含有する第1原料気体と、気相中でポリマーを形成することのない第2原料とを用いてプラズマCVD法によって微結晶を成膜する方法に関するものである。具体的には、実施の形態1にかかる微結晶薄膜の成膜方法は、第1原料気体および第2原料気体を供給する原料供給工程と、上記の第1原料気体の供給を停止して第2原料気体のみを供給し、原料供給工程において供給された原料を基板上に成膜させる原料堆積工程とを含み、これらの工程を交互に繰り返すことによって高品質の微結晶薄膜を成膜する。図1において、実線で示すタイミングチャートはSiH4の供給量について示し、破線で示すタイミングチャートはH2の供給量について示す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
気相中で複数結合した場合にポリマーを形成する元素を含む第1原料気体を活性化して、成膜対象上に前記元素を主成分とする微結晶構造を成膜する微結晶薄膜の成膜方法であって、 前記第1原料気体を供給する原料供給工程と、 前記第1原料気体の供給を停止し、気相中の結合を抑制しつつ活性化された前記第1原料気体を成膜対象上に堆積させる原料堆積工程と、 を交互に繰り返すことを特徴とする微結晶薄膜の成膜方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618E
Fターム (41件)：
5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF08 ,  5F045BB15 ,  5F045CA15 ,  5F045EE19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Thin Film Transistors based on microcrystalline silicon on polyimide substrate

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