特許

J-GLOBAL ID：200903088664005271

半導体装置及びその駆動方法

発明者： 小野 行徳 ,  西口 克彦 ,  猪川 洋
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-149207
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332097
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】高い精度で電子の転送が可能でより高温で動作可能であり、かつより容易に製造ができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層101と、半導体層101の表面より形成されたp型領域102と、半導体層101の表面よりp型領域102と離間して形成されたn型領域103と、半導体層101の表面に形成されたゲート絶縁層104と、p型領域102とn型領域103との間のゲート絶縁層104の上に形成されたゲート105とを備える。加えて、p型領域102とn型領域103とに挟まれた半導体層101の表面より30nm以内の領域に導入された1個の不純物106を備えている。不純物106は、p型領域102とn型領域103とに挟まれたチャネル領域に導入されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型の不純物が導入された半導体からなるp型領域と、 n型の不純物が導入された半導体からなるn型領域と、 第1方向で前記p型領域と前記n型領域とに挾まれて配置された半導体からなるチャネル領域と、 前記チャネル領域の前記第1方向に垂直な第2方向の側に配置されたゲート電極と、 前記チャネル領域の前記ゲート電極の側の界面より30nmの範囲に導入された既知の個数の不純物原子と を少なくとも備え、 前記不純物原子は、イオン化エネルギーが0.1eV以上であり、前記チャネル領域の中に不純物準位を形成する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/66 S ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 622

Fターム (23件)：

5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG33 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F140AC07 ,  5F140AC20 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF45

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性メモリ素子の構造とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-148793   出願人：日本電気株式会社