特許
J-GLOBAL ID：200903088680142165
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043772
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243727
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハ上に複数の半導体素子を形成し、各半導体素子をダイシングにより切り出す際に、冷却用の水や削り粉が半導体ウェハの表面側に同半導体ウェハから浮いた部分と半導体ウェハの表面との間に侵入しないようにする。【解決手段】 半導体素子20は、その凹部20aの底面から浮いた振動子21を備えるとともに、その上面周縁部には、土手23が同素子20の外周に沿って形成されている。土手23は、半導体素子20上最も高い部分の高さ以上に設定されている。半導体素子20を切り出す際、粘着テープは土手23の上面に貼り付いて半導体素子20を覆うので、半導体素子20を粘着テープにより密閉することができる。また、半導体ウェハを土手23に沿ってダイシングするので、ダイシング後であっても、粘着テープは土手23の上面に密着したままなので、半導体素子20の密閉状態を維持できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に複数の半導体素子を形成し、各半導体素子をダイシングにより切り出すようにした半導体素子の製造方法において、前記半導体ウェハ上にて前記半導体素子を形成する過程で前記各半導体素子をそれぞれ囲む土手をそれぞれ形成し、前記土手の上面に被覆部材を液密的に設けて各半導体素子を覆った後、同各半導体素子側の面の反対側から前記形成した土手の位置にて前記半導体ウェハをダイシングすることにより各半導体素子を切り出すようにしたことを特徴とする半導体素子の製造方法。
引用特許：
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