特許
J-GLOBAL ID：200903088715334232

二次電池および炭素系負極材料の製造方法

発明者：
小丸 篤雄

小丸 篤雄 について

, 
藤重 祐介

藤重 祐介 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013338
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332263
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 負極表面に生じる不可逆容量を低減した二次電池、およびこの二次電池に用いて好適な炭素系負極材料の製造方法を提供する。【解決手段】 二次電池の負極を、表面増強ラマン分光スペクトルにおけるGs値(Gs =Hsg/Hsd)が10以下の黒鉛、または微分TG曲線上に少なくとも2つのピークを有する黒鉛、または飽和タップ密度が1.0g/cc以上の黒鉛、または充填性指標が0.42以上の黒鉛、または加圧成型時の加圧前後での比表面積比が2.5以下である黒鉛によって形成する。このような黒鉛材料は、炭素系材料とピッチ等の被覆材料とを混合するか、炭素系材料を酸素雰囲気中で熱処理をした後に、黒鉛化を施すことによって得られる。
請求項（抜粋）：
正極および負極と共に電解質を備えた電池であって、前記負極は表面増強ラマン分光スペクトルにおいて下記の式で表されるGs が10以下である黒鉛を含むことを特徴とする二次電池。Gs =Hsg/Hsd(式中、Hsgは1580cm-1以上かつ1620cm-1以下の範囲にピークを有するシグナルの高さであり、Hsdは1350cm-1以上かつ1400cm-1以下の範囲にピークを有するシグナルの高さである。)
IPC (3件)：
H01M 4/58 ,  H01M 4/02 ,  H01M 10/40
FI (3件)：
H01M 4/58 ,  H01M 4/02 D ,  H01M 10/40 Z
Fターム (20件)：
5H029AJ03 ,  5H029AK03 ,  5H029AL07 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ03 ,  5H029HJ08 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14 ,  5H050CA07 ,  5H050CB08 ,  5H050GA02 ,  5H050GA03 ,  5H050GA10 ,  5H050GA15 ,  5H050GA22 ,  5H050HA00 ,  5H050HA07 ,  5H050HA08 ,  5H050HA10 ,  5H050HA14
引用特許：
審査官引用 (7件)
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