特許
J-GLOBAL ID:200903088722260902
基板処理方法及び装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
間宮 武雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-222447
公開番号(公開出願番号):特開平8-064514
出願日: 1994年08月23日
公開日(公表日): 1996年03月08日
要約:
【要約】【目的】 基板表面上の感光性樹脂膜を現像・洗浄処理した後基板を水平面内で鉛直軸回りに回転させて基板表面を乾燥させる際に高アスペクト比のレジストパターンに生じる倒壊現象を、薬液の選定や開発などといった方法でなく装置的な改良により防止できる方法を提供し、レジストパターンの微細化技術の進歩に寄与する。【構成】 基板を洗浄処理する過程で、少なくとも洗浄処理の最終もしくは最終に近い段階においてガスが溶解された洗浄液を使用する。
請求項(抜粋):
表面に感光性樹脂膜が被着形成された基板を現像処理した後、洗浄液を基板へ供給して基板を洗浄処理し、その後に基板を水平面内において鉛直軸回りに回転させて基板表面を乾燥処理する基板処理方法において、基板を洗浄処理する過程で、少なくとも洗浄処理の最終もしくは最終に近い段階においてガスが溶解された洗浄液を使用することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304 351
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開平4-346431
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特開昭64-008630
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特開昭60-000876
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特開昭60-165726
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-291585
出願人:三洋電機株式会社
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特開平3-270132
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特開平3-124027
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特開昭54-008455
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特開昭64-020626
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特開平2-072626
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