特許
J-GLOBAL ID：200903088722478134
導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045496
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：
【要約】【課題】 一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2) で示される酸化物からなる薄膜であって、より高い電気伝導度を示す導電性酸化物薄膜及びこの導電性酸化物薄膜を有する物品の提供。【解決手段】 一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2)-d (式中、Mはアルミニウム及びガリウムのうちの少なくとも一つの元素であり、比率(x:y)が1.8:1を超え8:1以下の範囲であり、比率(z:y)が0.4〜1.4:1の範囲であり、且つ酸素欠損量dが0を超え、(x+3y/2+3z/2)の1×10-1倍の範囲である)で表される酸化物薄膜であって、前記酸化物の(00n)面(但し、nは正の整数である)が実質的に配向している導電性酸化物薄膜。基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に前記導電性酸化物薄膜を有する物品であって、前記導電性酸化物薄膜が、前記酸化物の(00n)面を実質的に配向させるための配向性制御基板上または基板上の配向性制御膜上に形成されたものである物品。前記導電性酸化物薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式Znx M y Inz O (x+3y/2+3z/2)-d (式中、Mはアルミニウム及びガリウムのうちの少なくとも一つの元素であり、比率(x:y)が1.8:1を超え8:1以下の範囲であり、比率(z:y)が0.4〜1.4:1の範囲であり、且つ酸素欠損量dが0を超え、(x+3y/2+3z/2)の1×10-1倍の範囲である)で表される酸化物薄膜であって、前記酸化物の(00n)面(但し、nは正の整数である)が実質的に配向していることを特徴とする導電性酸化物薄膜。
IPC (10件)：
C30B 29/22
, C01G 9/00
, C01G 15/00
, C04B 35/453
, C30B 23/08
, G02F 1/1337
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 339
, H01B 5/14
, H01L 21/203
C30B 29/22 Z
, C01G 9/00 B
, C01G 15/00 B
, C30B 23/08 P
, G02F 1/1337
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 339
, H01B 5/14 A
, H01L 21/203 S
, C04B 35/00 P
