配向性薄膜形成基板およびその作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239704
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097296
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】種々の基板材料が使用可能であり、低コスト化が図れる、配向性薄膜形成のための電極を備えた成膜基板およびその作製方法を供給する。【構成】基板11と、その上に形成された配向性酸化物下地膜12と、さらに配向性酸化物下地膜12の上に形成された配向性電極膜13とから構成され、基板11上に、スパッタ法、あるいは有機金属錯体の蒸気を原料ガスとするプラズマ励起MO-CVD法によってによって(100)面配向のNaCl型結晶構造の配向性酸化物下地膜12を形成し、さらにその上にスパッタ法によって配向性電極膜13を形成することにより作製する。

請求項（抜粋）：

基板と、その上に形成された配向性酸化物下地膜と、さらに前記配向性酸化物下地膜の上に形成された配向性電極膜とからなることを特徴とする配向性薄膜形成基板。

IPC (6件)：

C30B 29/16 , C23C 14/34 , C30B 25/18 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451

引用特許：

審査官引用 (4件)

強誘電体薄膜構成体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308158 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭61-185808
酸化物強誘電薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-305126 出願人：株式会社ニコン

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