特許
J-GLOBAL ID：200903088752877432
ホール素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331368
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193297
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 簡単な構成でオフセット電圧及び感度のばらつきを低減させられるホール素子を提供する。【構成】 センサ部10を構成する能動領域12内の半導体層15が上面に絶縁薄膜21を介してゲート22a,22b,22c,22dを能動領域12を4分割する分割域に備えるので、ゲート22a,22b,22c,22dに夫々に電圧を印加して各ゲート下の能動領域12の等価抵抗Ra,Rb,Rc,Rdの値を個々に変化させることができ、また等価抵抗Ra,Rb,Rc,Rdの合成抵抗R0 の値も変化させられる。このため等価抵抗Ra,Rb,Rc,Rdの値の変化によってセンサ電極14a,14b間の電圧の平衡の調整ができオフセット電圧のばらつきが容易に低減でき、給電電極13a,13b間の合成抵抗R0 の値を適宜調整することで感度のばらつきが同様容易に低減できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の一導電形を有する半導体層に能動領域を形成するよう給電電極及びセンサ電極を配置してなるホール素子において、前記能動領域内の前記半導体層が上面に絶縁薄膜を介して複数のゲートを備えていることを特徴とするホール素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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