特許

J-GLOBAL ID：200903088773863482

半導体装置

発明者： 日山 一明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-041212
公開番号（公開出願番号）：特開2008-206348
出願日： 2007年02月21日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】基準電圧を変えることなく、過電流保護回路の動作レベルを調整することができる半導体装置を得る。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、メイン電流に対して所定の分流率で与えられるセンス電流をそのセンス端子より出力可能なセル分離構造を有するスイッチング素子と、一端がセンス端子に接続され、他端が接地されたセンス抵抗と、センス抵抗の一端に対して吐き出しと吸い込みの両方向で補正電流を供給する補正電流発生回路と、センス電流及び補正電流がセンス抵抗を流れるときに生じるセンス電圧を入力し、センス電圧が所定の基準電圧より大きい場合に停止信号を出力する過電流保護回路と、過電流保護回路から停止信号を受けるとスイッチング素子のゲートの駆動を中止する駆動回路とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メイン電流に対して所定の分流率で与えられるセンス電流をそのセンス端子より出力可能なセル分離構造を有するスイッチング素子と、 一端が前記センス端子に接続され、他端が接地されたセンス抵抗と、 前記センス抵抗の一端に対して吐き出しと吸い込みの両方向で補正電流を供給する補正電流発生回路と、 前記センス電流及び前記補正電流が前記センス抵抗を流れるときに生じるセンス電圧を入力し、前記センス電圧が所定の基準電圧より大きい場合に停止信号を出力する過電流保護回路と、 前記過電流保護回路から前記停止信号を受けると前記スイッチング素子の駆動を中止する駆動回路とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 1/00 ,  H03K 17/08 ,  H02H 3/08

FI (4件)：

H02M1/00 H ,  H02M1/00 P ,  H03K17/08 Z ,  H02H3/08 T

Fターム (28件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA04 ,  5G004CA04 ,  5G004DA02 ,  5G004DA04 ,  5G004DC02 ,  5G004DC14 ,  5G004EA01 ,  5H740BA11 ,  5H740MM08 ,  5H740MM12 ,  5J055AX34 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055CX19 ,  5J055DX09 ,  5J055EX03 ,  5J055EY01 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ32 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055FX32 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-382256   出願人：三菱電機株式会社, 株式会社ルネサスデバイスデザイン