特許

J-GLOBAL ID：200903090678789938

半導体装置および過電流の基準レベルのデータ設定方法

発明者： 熊谷 敏之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  株式会社ルネサスデバイスデザイン
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382256
公開番号（公開出願番号）：特開2005-151631
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 スイッチング素子の過電流保護機能を有する半導体装置において、過電流の検出レベルの温度依存性を抑制し、且つ、過電流の検出レベルの変更が容易に可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 IGBT1を駆動する駆動装置20において、電流検出部22はIGBT1に流れる主電流の大きさを検出する。保護回路部23は、電流検出部22が検出した主電流の大きさが所定の基準レベルに達した場合に、IGBT1の主電流を制限してIGBT1を保護する。温度検出部24は、IGBT1の温度を検出する。制御部25は、温度検出部24が検出したIGBT1の温度に基づき、上記基準レベルを調整する。当該基準レベルの設定値は、制御部35内にデータとして保持されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定のスイッチング素子を駆動すると共に、前記スイッチング素子に過電流が流れるのを防止する保護機能を有する半導体装置であって、 前記スイッチング素子に流れる電流の大きさを検出する電流検出部と、 前記電流検出部が検出した前記電流の大きさが過電流検出のための所定の基準レベルに達した場合に、前記スイッチング素子に流れる電流を制限して前記スイッチング素子を保護する保護回路部と、 前記スイッチング素子の温度を検出する温度検出部と、 前記温度検出部が検出した前記スイッチング素子の検出温度に基づき、前記基準レベルを調整する制御部とを備え、 前記基準レベルは、前記スイッチング素子の温度変化を想定して該温度変化に対応させて予め定められており、 前記制御部は、前記検出温度に対応して前記基準レベルを調整する ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H02M1/00 ,  H02H3/08 ,  H02M1/08 ,  H03K17/08 ,  H03K17/14 ,  H03K17/56

FI (7件)：

H02M1/00 H ,  H02M1/00 R ,  H02H3/08 T ,  H02M1/08 301Z ,  H03K17/08 Z ,  H03K17/14 ,  H03K17/56 Z

Fターム (48件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA04 ,  5G004CA04 ,  5G004DA02 ,  5G004DA04 ,  5G004DC03 ,  5G004DC14 ,  5G004EA01 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA29 ,  5H740KK01 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11 ,  5J055AX15 ,  5J055AX34 ,  5J055AX37 ,  5J055BX16 ,  5J055BX44 ,  5J055CX00 ,  5J055DX09 ,  5J055DX56 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EX23 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ16 ,  5J055EZ24 ,  5J055EZ29 ,  5J055EZ51 ,  5J055FX04 ,  5J055FX06 ,  5J055FX19 ,  5J055FX20 ,  5J055FX32 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-147886   出願人：三菱電機株式会社
• インテリジェントパワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-191109   出願人：三菱電機株式会社