特許

J-GLOBAL ID：200903088782648187

半導体装置及びその製造装置及びその製造方法

発明者： 中尾 隆 ,  見方 裕一 ,  綱島 祥隆 ,  今井 馨太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037079
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 自然酸化膜を除去した後、同一処理室内で低温で平坦形状、リ-ク電流特性に優れた絶縁膜(シリコン窒化膜)を形成する。【構成】 同一処理室において、自然酸化膜を有する半導体基板を清浄し自然酸化膜を除去し、露出した半導体基板上にシリコン熱窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体基板を収容できる処理室と、前記処理室の外側に存在し、前記処理室内部を加熱する加熱手段と、前記処理室に連絡し、前記半導体基板表面を清浄化する清浄化手段と、前記処理室に連絡し、前記清浄化手段後、前記清浄化された半導体基板表面に作用する窒化処理手段と、前記処理室内部のガスを排気する排気手段とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 21/95 ,  H01L 27/10 325 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-139034
  
• 特開平4-196533
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279540   出願人：日本電気株式会社