特許
J-GLOBAL ID:200903088788516444
多機能表面分析装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
春日 讓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-098236
公開番号(公開出願番号):特開平5-299055
出願日: 1992年04月17日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 試料表面に付着した汚染物等及び試料自体の表面の元素分析を共に高感度に行い得る多機能表面分析装置を実現する。【構成】 表面電離形Csイオン源2またはプラズマ荷電粒子源1からのイオンビームを試料11に照射することにより、二次イオン質量分析法が実行される。また、プラズマ荷電粒子源1からの電子ビームを試料11に照射することにより、電子脱離分析法が実行される。さらに、電子源12からの電子ビーム24を試料11に照射することによっても、電子脱離分析法が実行される。電子ビーム24の径は、数mm以上にでき、試料11の広範囲の表面について、分析を実行できる。電子ビーム24により、試料11の微小領域を分析する場合には、二次イオン引き出し系13、トランスファレンズ14、質量分析用ソーススリット16による制限視野法により、ビーム径を任意の大きさに設定することができる。
請求項(抜粋):
各種イオンを放出可能なイオン源と、電子を放出可能な電子源と、イオン源及び電子源から放出される荷電粒子から電子または所定種のイオンを抽出する質量分離器と、イオン及び電子を集束させる集束レンズと、イオンビーム及び電子ビームを偏向し、試料上に照射されたイオンビーム及び電子ビームを走査するビーム偏向器と、試料の上に照射されたイオンビーム及び電子ビームに基づいて、試料の質量を分析する質量分析計と、を備え、イオン照射による二次イオン質量分析法と電子照射による電子脱離分析法との二つの分析法を実行することができることを特徴とする多機能表面分析装置。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平3-081943
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特開昭49-040190
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特開昭51-023191
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