特許

J-GLOBAL ID：200903088790816587

III族窒化物半導体単結晶の作製方法及びIII族窒化物半導体単結晶の使用方法

発明者： 赤▲崎▼ 勇 ,  天野 浩 ,  上山 智 ,  岩谷 素顕 ,  中村 亮
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学 ,  日本学術振興会
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016009
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 低転位で結晶性に優れ、半導体基板として使用することが可能なIII族窒化物半導体単結晶の作製方法を提供すること、及び前記半導体基板を提供する。【解決手段】 (0001)サファイア基板1上に、AlN緩衝層2を形成する。次いで、AlN緩衝層2上にGaN下地層3を形成する。次いで、GaN下地層3の主面からエッチングを実施して、GaN下地層3を部分的に除去し、ステップ状の底面を有する凹部4を形成する。その後、凹部4を含むGaN下地層3の全面にAlN中間層5を形成する。そして、このAlN中間層5上に凹部4に起因した段差を埋めるようにしてAlGaN半導体層6を形成する。

請求項（抜粋）：

所定の単結晶基板の主面上に、緩衝層を結晶成長により形成する工程と、前記緩衝層の主面上に、下地層を結晶成長により形成する工程と、前記下地層の主面からエッチングを施すことにより前記下地層を部分的に除去し、前記下地層にステップ状の底面を有する第1の凹部を形成する工程と、少なくとも前記下地層の主面上に、中間層を結晶成長により形成する工程と、前記中間層上に、前記第1の凹部に起因した段差を埋めるようにして第1のIII族窒化物半導体層を結晶成長により形成する工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物半導体単結晶の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (31件)：

5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045HA13 ,  5F073BA04 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29