特許
J-GLOBAL ID:200903088792942040
電子線描画方法およびその装置並びにマーク記録方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-237374
公開番号(公開出願番号):特開2003-051437
出願日: 2001年08月06日
公開日(公表日): 2003年02月21日
要約:
【要約】【課題】露光量制御に基づいて、微小な記録マークあるいは半導体素子のパターンをより正確に形成することができるようにした電子線描画方法およびその装置並びにマーク記録方法を提供することにある。【解決手段】ブランキング機能にブランキング機能と露光量制御機能を持たせ、これらを信号処理あるいは2つのブランキング電極で実現した。その結果、記録マークの幅制御の際に発生する露光量変化に対応して露光量を補正することができ、均一な露光密度を得ることができる。
請求項(抜粋):
微小に絞った電子線を試料に照射して微細パターンを描画する方法において、前記微細パターンを描画する電子線の露光量を制御することを特徴とする電子線描画方法。
IPC (5件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G11B 7/26 501
, H01J 37/147
, H01J 37/305
FI (5件):
G03F 7/20 504
, G11B 7/26 501
, H01J 37/147 C
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 E
Fターム (14件):
2H097BB01
, 2H097CA16
, 2H097LA10
, 2H097LA20
, 5C033GG03
, 5C034BB03
, 5C034BB04
, 5D121BB26
, 5D121BB38
, 5F056AA02
, 5F056CB05
, 5F056CB13
, 5F056CB16
, 5F056EA03
引用特許:
前のページに戻る