ポジ型レジスト組成物

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中本宏 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037541
公開番号（公開出願番号）：特開平7-225481
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 X線や電子線を用いたリソグラフィに好適な、高感度で高解像のポジ型レジスト組成物を提供する。【構成】アニオン重合法を用いて合成されたものであり、かつ重量平均分子量が8千より大きく2万より小さいポリ(p-ヒドロキシスチレン)、ビス(p-t-ブトキシカルボニルメチル)チモールフタレインなる溶解阻害剤、ビス(p-t-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフレートなるオニウム塩、1分子中に1つのアミノ基と1つのカルギキシル基を含む化合物なる酸失活剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなる有機溶媒、及びノニオン系界面活性剤を含むポジ型レジスト組成物。【効果】 100mJ/cm2 以下の感度、0.2μm以上の解像性を満足し、膜厚制御性、パタン形状、耐熱性、寸法制御性も優れている。

請求項（抜粋）：

ポリ(p-ヒドロキシスチレン)、溶解阻害剤、オニウム塩、ノニオン系界面活性剤、酸失活剤、有機溶媒を含むポジ型レジスト組成物において、前記ポリ(p-ヒドロキシスチレン)はアニオン重合法を用いて合成されたものであって、かつ重量平均分子量が8000より大きくて20000より小さく、前記溶解阻害剤は下記式(化1)で表されるビス(p-t-ブトキシカルボニルメチル)チモールフタレインであり、前記オニウム塩はビス(p-t-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフレートであり、前記酸失活剤は1分子中に1つのアミノ基と1つのカルギキシル基を含む化合物であり、前記有機溶媒はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 504 , G03F 7/029 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-116722 出願人：日本合成ゴム株式会社
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203763 出願人：株式会社東芝
ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-060955 出願人：日本電信電話株式会社

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