特許
J-GLOBAL ID:200903088846509437
画像表示装置及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-357824
公開番号(公開出願番号):特開2004-193248
出願日: 2002年12月10日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】ポリシリコンTFTを用いた画像表示装置の製造コストを下げ、かつ、ゲート線と信号線との間の層間容量を低減すること。【解決手段】基板SUB上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、基板上に、複数のゲート線G0と、これらゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線SD0とを有し、薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領aは基板側から、ゲート電極G1/ゲート絶縁膜GI/多結晶シリコン膜PSIの積層構造であり、ソース電極及びドレイン電極部は基板側から、ゲート絶縁膜GI/層間絶縁膜INT/非単結晶シリコン膜HDA/金属膜SD1の積層構造であり、多結晶シリコン膜はゲート絶縁膜及び層間絶縁膜及び非単結晶シリコン膜に接して形成されており、信号線とゲート線との交差部bにおいて、ゲート絶縁膜GIと層間絶縁膜INTとの積層絶縁膜を有する画像表示装置とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、前記基板上に、複数のゲート線と、前記ゲート線にマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領域は基板側から、ゲート電極/ゲート絶縁膜/多結晶シリコン膜が順次積層された積層構造を有し、ソース電極及びドレイン電極部は基板側から、ゲート絶縁膜/層間絶縁膜/非単結晶シリコン膜/金属膜が順次積層された積層構造を有しており、前記多結晶シリコン膜は前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜及び前記非単結晶シリコン膜にそれぞれ接して形成されており、前記信号線と前記ゲート線との交差部において、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜との積層絶縁膜を有することを特徴とする画像表示装置。
IPC (8件):
H01L21/336
, G02F1/1333
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/30
, G09F9/35
, H01L29/786
FI (10件):
H01L29/78 627C
, G02F1/1333 505
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/30 338
, G09F9/35
, H01L29/78 618C
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 616K
Fターム (85件):
2H090HA04
, 2H090HB03X
, 2H090HC03
, 2H090LA01
, 2H090LA04
, 2H092GA14
, 2H092GA59
, 2H092JA26
, 2H092JA32
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB05
, 2H092KA04
, 2H092KA07
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KB25
, 2H092MA07
, 2H092MA29
, 2H092MA41
, 2H092NA22
, 2H092NA27
, 2H092PA06
, 5C094AA09
, 5C094AA13
, 5C094AA25
, 5C094AA43
, 5C094AA55
, 5C094BA03
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA09
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5F110AA02
, 5F110AA16
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF24
, 5F110FF25
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK22
, 5F110HK34
, 5F110HK35
, 5F110HM02
, 5F110HM14
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110QQ03
引用特許:
審査官引用 (3件)
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薄膜半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-168642
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-041847
出願人:株式会社東芝
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特開昭63-224258
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