特許
J-GLOBAL ID：200903088901240655
基板処理装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066740
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259841
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】原料ガスの切り換えを短時間に可能とする基板処理装置を提供する【解決手段】積層した半導体ウエハ200を収容する反応管203と、反応管203の外部に設置された加熱源207と、反応管203内へガスを導入するガス供給管302と、反応管203内からガスを排出する2つのガス排気管303、311とを備え、ガス供給管302にはガス噴出口308を積層したウエハ200に対向するように設け、ガス排気管303にはガス排気口309を積層したウエハ200に対向するように設け、ガス排気管311には、ガス排気口を積層したウエハ200には対向しない位置に設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
積層した基板を収容する容器と、該容器の外部に設置された加熱源と、外部から前記容器の内部へガスを導入するための少なくとも一つのガス供給管と、前記容器の内部から外部へガスを排出するための少なくとも2つのガス排気管とを備える基板処理装置であって、
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA10
, 4K030LA15
, 5F045AA15
, 5F045BB08
, 5F045DP19
, 5F045EE19
, 5F045EF03
, 5F045EF20
