特許
J-GLOBAL ID:200903088905032950
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-243113
公開番号(公開出願番号):特開2001-068780
出願日: 1999年08月30日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、共振器面の熱伝導率性を向上させ、最大光出力および信頼性を向上させる。【解決手段】 光共振器面の少なくとも一つに、半導体層側から順に酸素をゲッタリングする機能を有する材料からなる層、III族窒素化合物からなる層を形成して反射率制御層16を形成する。
請求項(抜粋):
III-V族化合物からなる半導体層が積層されてなり、該半導体層が劈開されてなる光共振器面の少なくとも1つに、2層以上からなる反射率制御層を備えた半導体レーザ素子において、前記反射率制御層の前記半導体層側から第一層が酸素をゲッタリングする機能を有する材料からなり、第二層がIII族窒素化合物からなることを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (7件):
5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA83
, 5F073CA12
, 5F073CB20
, 5F073EA24
, 5F073EA28
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭59-149080
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窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-089215
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭59-149080
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特開平3-101183
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-314331
出願人:富士通株式会社
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