特許

J-GLOBAL ID：200903088905541226

気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法

発明者： 清澤 努
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339182
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164162
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】パーティクルの混入を抑制した高品質なSiC単結晶薄膜を安定して製造することができる気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法を提供する。【解決手段】ガス供給口1とガス排気口2を有する反応容器内に、ウエハ搭載部を有するサセプタ3と、カバープレート8を固定保持するための支持部6と、を備えた気相成長装置を用い、前記ウエハ搭載部に単結晶ウエハ7を搭載し、前記支持部6により前記単結晶ウエハ7と前記サセプタ3に対向した壁面との間にカバープレート8を固定支持して、前記単結晶ウエハ7表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ガス供給口とガス排気口を有する反応容器を備えた気相成長装置において、 前記反応容器内に単結晶ウエハを載置するための搭載部と前記単結晶ウエハを覆うためのカバープレートを固定保持するための支持部とを持つサセプタを備えた気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/458

Fターム (23件)：

4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA03 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長装置及び気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-040039   出願人：国立大学法人東京大学