特許
J-GLOBAL ID：200903023576429954
気相成長装置及び気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-040039
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235845
出願日： 2004年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 化合物半導体の結晶成長において、パーティクル等の表面欠陥の発生を有効に抑制することができ、均一な組成の薄膜を成長させる。【解決手段】 化合物半導体を結晶成長するための気相成長装置において、薄膜結晶の気相成長に供される反応炉10と、反応炉10内に設置され、被処理基板4が載置される基板保持台6と、反応炉10内に設置され、基板6の表面に対し実効的に平行な方向から原料ガスを供給するためのフローチャンネル3と、基板4の表面に対向する位置に配置され、基板4よりも寸法が大きく基板4と同一の単結晶材料からなるダミー基板12とを備えた。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
薄膜結晶の気相成長に供される反応炉と、この反応炉内に設置され被処理基板が載置される基板保持台と、前記基板の表面に対し所定方向から原料ガスを供給する手段とを具備してなり、
前記反応炉内の前記基板の表面に対向する壁面領域を、前記基板の表面よりも大きな範囲にわたって該基板と同一種の単結晶材料で形成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4K030KA47
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB06
, 5F045AB10
, 5F045AB12
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB15
, 5F045DP04
, 5F045EB03
, 5F045EC05
