特許

J-GLOBAL ID：200903088926085034

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ

発明者： 樋山 邦夫 ,  坪井 秀樹 ,  岡田 升宏 ,  真田 徳雄 ,  飯島 高志
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社 ,  工業技術院長
代理人 (2件)： 藤巻 正憲 ,  藤巻 正憲 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284560
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109362
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】 疲労特性を向上させることができると共に、キャパシタ絶縁膜として使用される際のキャパシタ電極の形成を容易なものとすることができる強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体材料はx、yをモル比として、PbxZr(1-y)TiyO3により表される材料にAlを置換固溶させて得られる。このxの値は0.9乃至1.1、yの値は0.3乃至0.7である。また、強誘電体メモリは、この強誘電体材料を膜厚が50乃至500nmになるように形成したキャパシタ絶縁膜を有する。

請求項（抜粋）：

x、yをモル比として、PbxZr(1-y)TiyO3により表される組成を有する材料にAlを置換固溶させてなることを特徴とする強誘電体材料。

IPC (5件)：

C04B 35/49 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

C04B 35/49 Z ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 651

Fターム (19件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124769   出願人：沖電気工業株式会社
• 特表平4-506791
  
• 特表平4-505912
  
• 強誘電性複合材料およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-252700   出願人：アルプス電気株式会社, 安田榮一

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS