特許

J-GLOBAL ID：200903088973007530

選択エッチング方法

発明者： ドニイ ケイ.レインハード ,  ラビンドラ エヌ.チャクラボーティ ,  ジェス アスムッセン ,  ポール ディー.ゴールドマン
出願人/特許権者： ミシガン ステイト ユニバーシティー ,  セイント - ゴベイン/ノートン インダストリアル セラミックス コーポレイション
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253319
公開番号（公開出願番号）：特開平9-184082
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 材料の予選択された最終厚さ、所定エッチング深さ、及び均一又は所定のエッチングプロフィールを比較的容易にかつ経済的に達成する。【解決手段】 既存の適当なプラズマ発生装置を使用して、材料のエッチングを2つ以上の高周波モード間の逐次スイッチングによって及び(又は)マイクロ波源からのエッチングされる材料の表面の距離によって制御し、図の曲線で示されたような所定又は均一エッチングプロフィールを達成する。これらの高周波モード及び(又は)距離は、エッチングされる材料の表面の寸法、形状に依存して選択される。プラズマ発生チャンバ内の67mPaから1.333kPaまでの圧力のガス媒体中で発生したプラズマで材料をエッチングすることによってエッチング速度を向上することができる。

請求項（抜粋）：

(a) 材料の表面をいかに選択エッチングするべきか決定するステップ、(b) 閉込め空間内で高周波によって発生されるプラズマ内にエッチングされる前記材料を供給するステップであって、前記プラズマからのイオンと遊離基とが前記材料の表面をエッチングすることができるように前記表面を前記イオンと前記遊離基とに露出させることを伴う前記供給するステップ、(c) 前記イオンと前記遊離基とが前記表面をエッチングするように前記閉じ込め空間内に前記プラズマを発生するステップ、及び(d) 前記材料の前記表面を選択エッチングするように前記表面における前記プラズマの特性を時間的に逐次変化させるステップを含む選択エッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ドライエッチング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149986   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-250126