特許
J-GLOBAL ID:200903088985616809
金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法および金属イオン捕捉方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深井 敏和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-184802
公開番号(公開出願番号):特開2001-019428
出願日: 1999年06月30日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】 金属イオンをハイドロタルサイト類化合物の層間に容易に導入できる金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法および金属イオン捕捉方法を提供することである。【解決手段】 一般式(1) : [M2+1-x M3+x (OH)2 ]x+(An-)x/n ・yH2 O (1) (式中、M2+は2価の陽イオン、M3+は3価の陽イオン、An-は陰イオン、0.16≦x≦0.33、n≧1、y>0である。)で表されるハイドロタルサイト類化合物に金属塩を加えて、この金属塩中の金属イオンを前記ハイドロタルサイト類化合物の層間に導入することを特徴とする。
請求項(抜粋):
一般式(1) : [M2+1-x M3+x (OH)2 ]x+(An-)x/n ・yH2 O (1) (式中、M2+は2価の陽イオン、M3+は3価の陽イオン、An-は陰イオン、0.16≦x≦0.33、n≧1、y>0である。)で表されるハイドロタルサイト類化合物に金属塩を加えて、この金属塩中の金属イオンを前記ハイドロタルサイト類化合物の層間に導入することを特徴とする金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法。
IPC (6件):
C01G 1/00
, A01N 59/06
, B01J 20/08
, C01B 25/38
, C01F 7/00
, C08K 9/00
FI (6件):
C01G 1/00 B
, A01N 59/06 Z
, B01J 20/08 B
, C01B 25/38
, C01F 7/00 C
, C08K 9/00
Fターム (40件):
4G066AA10D
, 4G066AA13D
, 4G066AA16B
, 4G066AA20B
, 4G066AA45D
, 4G066AA47A
, 4G066AA47B
, 4G066AA50D
, 4G066AA53A
, 4G066AA66B
, 4G066AB07D
, 4G066AB23D
, 4G066AE02D
, 4G066BA31
, 4G066CA46
, 4G066DA08
, 4G066EA20
, 4G066FA05
, 4G066FA14
, 4G076AA18
, 4G076AA19
, 4G076AB06
, 4G076AB11
, 4G076BA11
, 4G076BE04
, 4G076DA25
, 4G076DA28
, 4H011AA02
, 4H011BA01
, 4H011BB18
, 4H011BC18
, 4H011DF02
, 4H011DG02
, 4J002AA001
, 4J002DE286
, 4J002FB076
, 4J002FB086
, 4J002FB236
, 4J002FB266
, 4J002FD186
引用特許:
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