特許

J-GLOBAL ID：200903089008417497

半導体装置、半導体装置の製造方法及び光学装置用モジュール

発明者： 塚本 弘昌 ,  藤田 和弥 ,  安留 高志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140370
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322809
出願日： 2004年05月10日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

【課題】 使用環境下での半導体素子の耐湿劣化及び覆部内面の結露を防止すると共に、ダイシング工程以降での半導体素子及び覆部の間の中空部への水及び異物の侵入を防止する。【解決手段】 固体撮像素子2の主面と透光性の覆部4とを接着すると共に、これらの間に中空部10を構成する接着部5は、中空部10側に第1開口端部7aと、外部側に第2開口端部7bと、捕捉部7cとが形成されている。第1開口端部7a、捕捉部7c及び第2開口端部7bにより通気路7が構成される。通気路7の形状は、第1開口端部7a及び第2開口端部7bを一直線に連結するのではなく、これらの形状より大きい形状の捕捉部7cを介して接着部5内で連結している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を覆う覆体との間に中空部を有し、前記覆体に前記中空部から外部へ通じる通気路を形成してある半導体装置において、 前記通気路は遮水性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L27/14

FI (4件)：

H01L23/02 G ,  H01L23/02 F ,  H01L23/04 Z ,  H01L27/14 D

Fターム (12件)：

4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA12 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-315361   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-252244   出願人：京セラ株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-349016   出願人：オリンパス光学工業株式会社