化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212112
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【解決課題】化学気相蒸着(CVD)法によるルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の原料について、CVD反応系への酸素ガス導入がなくとも不活性ガス中での加熱のみで分解可能であり、薄膜の電気・電子部材の特性に悪影響を及ぼす下地基板への酸素のドーピングを防止し、良好な性状の薄膜を製造可能な原料化合物を提供する。【解決手段】CVD法ルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜製造用のルテニウム化合物であって、一般式1〜3のジカルボニルトリメチルシリルルテニウム化合物、トリカルボニルルテニウム化合物又はテトラカルボニルビス(トリメチルシリル)ルテニウム化合物。(Xは1〜4個の2重結合を有する直鎖/分枝状のアルケニル基又はシクロアルケニル基、直鎖/分枝状のアルカジエニル基又はシクロアルカジエニル基、シクロアルカトリエニル基又はシクロアルカテトラエニル基を示す。)

請求項（抜粋）：

化学気相蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するためのルテニウム化合物であって、下記の化1〜化3の一般構造式で示される、ジカルボニルトリメチルシリルルテニウム化合物、トリカルボニルルテニウム化合物、テトラカルボニルビス(トリメチルシリル)ルテニウム化合物のいずれかよりなる化学気相蒸着用のルテニウム化合物【化1】(式中、置換基であるXは1〜4個の2重結合を有する、直鎖状、分枝状のアルケニル基又はシクロアルケニル基、若しくは、直鎖状、分枝状のアルカジエニル基又はシクロアルカジエニル基、若しくは、シクロアルカトリエニル基、若しくは、シクロアルカテトラエニル基、のいずれかを示す。)【化2】(式中のXの意義は上記と同様である。)【化3】

IPC (4件)：

C07C 13/23 , C07F 7/08 , C23C 16/18 , C23C 16/40

FI (4件)：

C07C 13/23 , C07F 7/08 Z , C23C 16/18 , C23C 16/40

Fターム (14件)：

4H006AA01 , 4H006AB78 , 4H006AB91 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ22 , 4H049VR23 , 4H049VU24 , 4H049VW02 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030DA09 , 4K030FA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

シクロオレフインの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-084628 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭59-088867
ルテニウム及びオスミウム化合物の調製方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-567541 出願人：マイクロンテクノロジー,インコーポレイティド

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引用文献：

審査官引用 (4件)

Organometallics, 1987, Vol.6, No.10, p.2085-2088
Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry, 1978, No.5, p.403-412
Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistry, 1975, No.16/17, p.1633-1640

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