特許
J-GLOBAL ID：200903089032758025
薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040916
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228326
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】高記録密度化に対応しつつ良好な再生動作を可能とする、形成容易な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】磁化自由層35を有するMR素子15と、X方向においてMR素子15を挟んで互いに対向するように配置された一対の電極層17と、MR素子15および一対の電極層17の上面と隣接してX方向に延在するように配置された非磁性かつ絶縁性の上部ギャップ層16と、この上部ギャップ層16上の、X方向においてMR素子15に対応する領域に設けられ、かつ、磁化自由層35に縦バイアス磁界を印加するバイアス層18Aとを備える。これにより、バイアス層18Aを、MR素子15および一対の電極層17の双方と確実に絶縁し、センス電流のバイアス層18Aへの分流による抵抗変化率の劣化等を抑制できる。バイアス層18Aは、MR素子15と別体として形成されるので、高記録密度化に伴うMR素子15の微小化による制約を受けることがない。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面を有し、前記磁気記録媒体からの信号磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層を含む磁気抵抗効果素子と、
前記磁気記録媒体の記録トラック幅方向に対応する第1の方向において、前記磁気抵抗効果素子を挟んで互いに対向すると共に少なくとも前記磁化自由層の端面とそれぞれ接するように配置された一対の電極層と、
前記第1の方向と直交し、かつ、前記記録媒体対向面と平行をなす第2の方向において、前記磁気抵抗効果素子および一対の電極層を挟んで互いに対向すると共に前記磁気抵抗効果素子および一対の電極層と隣接して前記幅方向に延在するように配置された非磁性かつ絶縁性の一対の分離層と、
前記一対の分離層のうちの少なくとも一方における前記磁気抵抗効果素子と反対側に位置すると共に前記磁気抵抗効果素子に対応する領域に設けられ、かつ、前記磁化自由層に縦バイアス磁界を印加するバイアス層と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B5/39
, H01L43/08 B
, H01L43/08 Z
5D034BA03
, 5D034BA11
, 5D034BA21
, 5D034BB09
