特許
J-GLOBAL ID：200903089033554300

プラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法及び半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
鴻野 真之

鴻野 真之 について

, 
西田 辰夫

西田 辰夫 について

, 
中西 敏雄

中西 敏雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-090714
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246129
出願日： 2008年03月31日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】N-H結合を減少させることができ、N-H結合の量とSi-H結合の量とを合計した総膜中水素量を減らすことが可能なプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器1内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、マイクロ波を処理容器1内に放射し、処理容器1内に導入された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスを、被処理基板Wの表面上に供給し、被処理基板Wの表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を300°C以上600°C以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マイクロ波励起プラズマを用いたプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法であって、 処理容器内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、 マイクロ波を前記処理容器内に放射し、前記処理容器内に導入された前記珪素含有ガス及び前記窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、 前記プラズマ化された前記珪素含有ガス及び前記窒素及び水素含有ガスを、被処理基板の表面上に供給し、この被処理基板の表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、 前記窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を300°C以上600°C以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を0.005以上0.015以下、マイクロ波パワーを0.5W/cm2以上2.045W/cm2以下、処理圧力を133.3Pa以上13333Pa以下とすることを特徴とするプラズマCVD窒化珪素膜の成膜方法。
IPC (7件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 301N ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301Y
Fターム (64件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX19 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF38 ,  5F058BF39 ,  5F140AA01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK27 ,  5F140CC08
引用特許：
出願人引用 (1件)

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