ホスホシリケートゲル、プロトン伝導性材料および製造法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-272720
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080214
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】プロトン伝導性に優れ、高温乾燥雰囲気下でもプロトン伝導性の低下のないホスホシリケートゲル、プロトン伝導性材料及びこれらの製造法を提供する。【解決手段】85%H3PO4溶液を標準とし、測定周波数が121.419MHz、回転数が約5000Hzの条件で得られた31P MAS-NMRスペクトルにおいて、0ppmと-11ppm付近に、または0ppmと-11ppm付近と-44〜-52ppm付近にピークを有するホスホシリケートゲルおよびこのホスホシリケートゲルからなるプロトン伝導性材料。酸性縮合触媒を含む水の存在下に、テトラアルコキシシランにリン酸を添加し混合してゾルを調製し、得られたゾルをゲル化し、熱処理することにより上記ホスホシリケートゲルが得られる。

請求項（抜粋）：

85%H3PO4溶液を標準とし、測定周波数が121.419MHz、回転数が約5000Hzの条件で得られた31P MAS-NMRスペクトルにおいて、0ppmと-11ppm付近に、または0ppmと-11ppm付近と-44〜-52ppm付近にピークを有することを特徴とするホスホシリケートゲル。

IPC (3件)：

C01B 33/00 , H01M 8/02 , H01B 1/06

FI (3件)：

C01B 33/00 , H01M 8/02 M , H01B 1/06 A

Fターム (17件)：

4G072AA35 , 4G072BB05 , 4G072HH30 , 4G072JJ17 , 4G072KK01 , 4G072LL06 , 4G072PP17 , 4G072RR05 , 4G072TT30 , 4G072UU30 , 5G301CA30 , 5G301CD01 , 5H026AA04 , 5H026BB01 , 5H026BB08 , 5H026BB10 , 5H026HH08

引用特許：

審査官引用 (2件)

プロトン伝導体および同プロトン伝導体を用いた電気化学素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-228214 出願人：松下電器産業株式会社, ジェイエスアール株式会社
非晶質シリカ成形体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079343 出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

全件表示

前のページに戻る