特許

J-GLOBAL ID：200903089059518786

導電パターン形成用マスク及びマスク装置

発明者： 杉森 将宣
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335558
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146514
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 電極等の導電パターンを形成するためのマスクであって、導電パターン形成時の熱や取り扱い時の外力による反りや変形が生じ難く、高精度に導電パターンを構成し得るマスクを得る。【解決手段】 導電パターンに応じたスリットまたは開口が形成されている薄板状マスク本体としての上マスク7と、上マスク7の少なくとも片面に設けられており、スリットまたは開口が形成されてい領域に突条8a〜8dとを備える、導電パターン形成用マスク。

請求項（抜粋）：

磁石を有するガイドと、前記ガイド上に載置され、かつその上に電子部品が配置される第1のマスクと、前記第1のマスク上に配置された電子部品上に載置される第2のマスクとを備えるマスク装置の第2のマスクとして用いられる導電パターン形成用マスクであって、導電パターンに応じたスリットまたは開口が形成されている薄板状マスク本体と、前記マスク本体の片面において、前記スリットまたは開口が形成されている領域の周囲に設けられた突条とを備えることを特徴とする、導電パターン形成用マスク。

IPC (2件)：

C23C 14/04 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 14/04 A ,  H01L 21/285 M

Fターム (7件)：

4K029HA01 ,  4K029HA02 ,  4K029HA03 ,  4K029HA04 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜形成用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-033614   出願人：株式会社村田製作所
• 特公平6-074498
  
• 特公平6-074498