特許

J-GLOBAL ID：200903089085959138

ウエハ研磨装置への研磨剤の供給方法

発明者： 酒井 謙児 ,  佐藤 学
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208454
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 リッシングの発生を防止でき、研磨定盤を代えることなく異なる研磨剤を使用して異なる材質の被研磨層を研磨でき、作業性を改善できる。【解決手段】 本発明のウエハ研磨装置への研磨剤の供給方法は、ウエハのメタル層の研磨に適した研磨剤Aの供給系統と、バリアメタル層の研磨に適した研磨剤Bの供給系統とを有し、メタル層の研磨の終了に伴い、研磨剤Aの供給から研磨剤Bの供給に切換えて、バリアメタル層の研磨を同一の研磨定盤5を使用して、ウエハの研磨を行うようにしている。

請求項（抜粋）：

ウエハを化学的機械的研磨法により研磨するウエハ研磨装置に研磨剤を供給する方法において、ウエハ上のメタル層とバリアメタル層を研磨するために、それぞれ異なる種類の研磨剤の供給系統を複数用意すると共に、メタル層又はバリアメタル層の終端の研磨に伴って、それぞれの層に適した研磨剤の供給系統に切換えて研磨剤を同一研磨定盤上に供給して、メタル層又はバリアメタル層の研磨を行うことを特徴とするウエハ研磨装置への研磨剤の供給方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 K

Fターム (9件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058AC05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板上に極小スケールのCu相互接続金属を形成する方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108044   出願人：財団法人工業技術研究院
• 半導体装置の製造方法及び化学的機械研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295582   出願人：株式会社リコー