特許
J-GLOBAL ID：200903094191617371
半導体基板上に極小スケールのCu相互接続金属を形成する方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108044
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163208
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 ウエット工程からドライ工程への変更回数を少なくする。【解決手段】 超クリーン環境で基板10の上面に誘電体層を設け、マスクを介して該誘電体層に窪み12a、12bを形成し、その上にバリア層14を形成する。次いで厳格性が緩いクリーン環境において、Cu層16を形成し、窪みの部分を残してCu層を機械的研磨してバリア層の表面を露出させ、露出されたバリア層を選択的に除去し、残留するCuの表面上にバリア層18を選択的に形成して、基板表面を平坦化する。さらに超クリーン環境において誘電体層を形成し、上記のステップを繰り返し、上位層にCu層を形成する。窪み12aには誘電体層を貫通するバイア・ホールが形成され、多層相互間の電気的接続がなされる。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス上にCu相互接続金属を形成するための自己完結型の製造装置において、密閉チャンバと、処理対象の半導体ウエハを前記チャンバに導入する入力ステーションと、前記チャンバ内で処理した半導体ウエハを抽出する出力ステーションと、前記チャンバ内のCuメッキ装置ステーションと、バリア金属無電解メッキ装置ステーションと、主研磨装置ステーションと、補助研磨装置ステーションと、前記チャンバ内にあり、処理対象の半導体ウエハを、前記入力ステーションから前記Cuメッキステーション、前記主研磨ステーション、前記補助研磨ステーション、前記バリア金属エッチング・ステーションを介して前記出力ステーションまで移動させ、関連する半導体製造装置において高クリーン・ルーム環境を必要とする処理を更に行うために、前記チャンバから抽出する自動インデクサ(指標)装置とからなることを特徴とする自己完結型の製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/02
, H01L 21/302
, H01L 21/304 321
, H01L 21/68
H01L 21/88 A
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/304 321 E
, H01L 21/68 A
, H01L 21/302 Z
