特許
J-GLOBAL ID:200903089113371532

銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 押田 良輝 ,  押田 良隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-185959
公開番号(公開出願番号):特開2005-256159
出願日: 2004年06月24日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
【課題】従来技術に比べ銅めっき皮膜の生産性を著しく向上できる銅めっき皮膜の成膜方法及び連続式の銅めっき装置の提供、及び銅めっき皮膜の硬質化を抑え、耐折性を向上させたフレキシブル銅張り積層板の提供。【解決手段】樹脂フィルム基板に対し、予めスパッタリング法により所定の膜厚の銅シード層を形成した後、更に電気めっき法により銅めっき皮膜を成膜するに際して、前記電気めっき法による銅めっきを、光沢剤添加の銅ハイスローめっき浴による銅めっきと、光沢剤無添加の銅ハイスローめっき浴による銅めっきとで構成する銅めっき皮膜の成膜方法又は連続式の銅めっき装置を特徴とするとともに、電気めっきにより形成された銅めっき皮膜は、光沢剤添加の銅ハイスローめっき浴を用いて行う電気銅めっき工程により得られた銅めっき皮膜と、光沢剤無添加の銅ハイスローめっき浴を用いて行う電気銅めっき工程により得られた銅めっき皮膜とを備えたフレキシブル銅張り積層板を特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
樹脂フィルム基板に対し、予めスパッタリング法により膜厚1000〜3000Åの銅シード層を形成した後、更に電気めっき法により銅めっき皮膜を成膜する工程からなる方法において、前記電気めっき法による銅めっき皮膜を成膜する工程を、光沢剤添加の銅ハイスローめっき浴による銅めっき工程と、光沢剤無添加の銅ハイスローめっき浴による銅めっき工程とで構成することを特徴とする銅めっき皮膜の成膜方法。
IPC (7件):
C25D5/10 ,  B32B15/08 ,  C23C28/00 ,  C25D3/38 ,  C25D5/56 ,  C25D7/00 ,  C25D17/00
FI (8件):
C25D5/10 ,  B32B15/08 J ,  B32B15/08 P ,  C23C28/00 A ,  C25D3/38 101 ,  C25D5/56 Z ,  C25D7/00 J ,  C25D17/00 B
Fターム (42件):
4F100AB17B ,  4F100AB17C ,  4F100AK01A ,  4F100AK49 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH661 ,  4F100EH711 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11 ,  4F100JG10 ,  4F100JK04 ,  4F100JK07 ,  4F100JL02 ,  4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CB38 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA09 ,  4K024AB19 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BC01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CB01 ,  4K024CB11 ,  4K024DA03 ,  4K024DA04 ,  4K024DA10 ,  4K024GA07 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BC05 ,  4K044CA13 ,  4K044CA18 ,  4K044CA31
引用特許:
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る