特許

J-GLOBAL ID：200903089135732504

半導体装置及びその製造方法

発明者： 古尾谷 周一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056021
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 工程数の増加を最小限に抑えると共に、信頼性のある口径が0.35μm以下のコンタクトホールを容易に且つ正確に形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板又は適宜の導電層10上に形成される層間絶縁膜2上に、該層間絶縁膜2のエッチングレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜3を形成した後、該絶縁性膜3に、所定のエッチング処理を施して、該絶縁性膜3の被エッチング処理部をテーパ状端部11を有する開孔部12に形成し、当該端部がテーパ状に形成された開孔部12をマスクとして該層間絶縁膜2をエッチング処理して本体部13を形成する事によりコンタクトホール15を形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも、半導体基板上又は適宜の導電層上に形成された層間絶縁膜と該層間絶縁膜上に形成された、当該層間絶縁膜のエッチングレートの値よりも低いエッチングレートを有する絶縁性膜とから構成される積層体に設けられているコンタクトホールであって、該コンタクトホールは、当該層間絶縁膜を介して形成された細径形状の本体部分と、該絶縁性膜を介して形成された該細径形状の本体部分の1端部から該本体部分から離れる方向に末広がり状に形成されたテーパー状導入部とが組み合わされて構成されているコンタクトホールを有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-104216
  
• 特開平4-196315
  
• 特開平2-111054
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240000   出願人：株式会社東芝