特許
J-GLOBAL ID：200903089138781271
同期型半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180455
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 オートプリチャージコマンドの制御が容易でありかつレイアウト面積が低減された同期型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 内部読出/書込終了検出回路(42)は、読出動作活性化信号(READ)および書込動作活性化信号(WRITE)がともに非活性状態とされると、ワンショットのパルス信号を発生する。内部動作活性化信号発生回路(40)は、オートプリチャージコマンドに従ってオートプリチャージイネーブル信号(APCE)をフリップフロップ(40a)により保持し、このオートプリチャージイネーブル信号とワンショットパルス信号に従ってプリチャージ動作トリガ信号を生成して内部動作活性化信号(ACTIVE)をリセットして非活性状態とする。内部で書込/読出動作が完了したときのみにオートプリチャージコマンドが有効とされて内部のプリチャージ動作が行なわれる。
請求項（抜粋）：
外部から周期的に与えられるクロック信号に同期して動作する同期型半導体記憶装置であって、外部から与えられるメモリセル選択動作開始指示信号に応答して、内部動作活性化信号を活性状態とする内部活性化信号発生手段、外部から与えられるアクセス指示信号に応答して、内部アクセス動作活性化信号を活性状態とするアクセス動作活性化信号発生手段、前記アクセス指示信号と同時に与えられるプリチャージ指示信号に応答して、内部プリチャージ活性化信号を活性状態とするプリチャージ活性化信号発生手段、および前記アクセス動作活性化信号の非活性化と前記活性状態の内部プリチャージ活性化信号とに応答して、前記内部動作活性化信号を非活性状態とする内部動作非活性化手段を備える、同期型半導体記憶装置。
引用特許：
前のページに戻る
