特許
J-GLOBAL ID:200903089169007027
窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-515359
公開番号(公開出願番号):特表2003-519064
出願日: 2000年08月02日
公開日(公表日): 2003年06月17日
要約:
【要約】本発明は、窒素およびアルミニウム蒸気の混合物から単結晶窒化アルミニウムを成長させるためのエピタキシャル成長方法に関し、この方法は、以下の工程を包含する:基板(4)およびアルミニウム源(5)が、成長チャンバ内で互いの反対側に配置される;この基板は、窒化アルミニウムの成長を確実にする温度に加熱され、これにより、この成長チャンバ(3)内でこの温度が維持され、窒素およびアルミニウム蒸気の混合物の圧力が維持される。
請求項(抜粋):
窒素およびアルミニウム蒸気の混合物からの窒化アルミニウム単結晶のエピタキシャル成長方法であって、該方法は、以下の工程: 成長チャンバ(3)中に基板(4)およびアルミニウム源(5)を互いに反対側に配置する工程; 該源(5)および該基板(4)を加熱して該源(5)および該基板(4)の作用温度を維持する工程;ならびに 該混合物中にアルミニウム蒸気を形成し、そして該基板(4)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる工程、を包含し、該方法は、該成長チャンバ(3)における該窒素およびアルミニウム蒸気の混合物の圧力が、下限から400mbarの間隔内に維持され、該下限は、該源の温度まで加熱された窒化アルミニウムの蒸発により形成される該窒素およびアルミニウム蒸気の混合物により、閉じた予備排気容積で発生する圧力に等しいことを特徴とする、方法。
Fターム (9件):
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077DA02
, 4G077DA19
, 4G077EA02
, 4G077EA03
, 4G077HA14
, 4G077SA04
, 4G077SA07
引用特許:
引用文献:
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