特許
J-GLOBAL ID：200903089188246423
SiC単結晶およびその成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
, 長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-080997
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：
【要約】【課題】 表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。【解決手段】 6H型ポリタイプのSiC単結晶40を成長させる方法であって、{01-14}面30u、または{01-14}面に対して約10 ゚以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたSiC単結晶からなる種結晶30上に、6H型ポリタイプのSiC単結晶40を成長させる。
請求項（抜粋）：
6H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させる方法であって、{01-14}面、または{01-14}面に対して約10 ゚以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、6H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA19
, 4G077ED05
, 4G077HA06
, 4G077HA12
