特許
J-GLOBAL ID：200903089189749950
平面埋込型レーザダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199989
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064907
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【課題】半導体基板と第1の電流遮断層との接合面からの漏泄電流と、サイリスタ構造による漏泄電流とを減少する。【解決手段】マスク29を介して第2のクラッド層27、活性層25、第1のクラッド層23および半導体基板21を非選択エッチング液で、円錐台形になるようにエッチングしたのち、活性層25以外の各層27,23,21を、結晶面が正確に露出するように選択的にエッチングし、第2のクラッド層27の側面上方から半導体基板21上面にかけて全体を覆うように、第1の電流遮断層と第2の電流遮断層とを形成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板の上に、第1の導電型の第1のクラッド層と、不純物がドーピングされていない活性層と、第2の導電型の第2のクラッド層とを順次形成する第1の結晶成長工程と;前記第1のクラッド層上の所定の位置にマスクパターンを形成する工程と;前記マスクパータンをエッチングマスクとして、前記第2のクラッド層、活性層、第1のクラッド層および半導体基板を非選択的にエッチングする第1のエッチング工程と;前記半導体基板、第1のクラッド層、および第2のクラッド層を選択的にエッチングする第2のエッチング工程と;前記第2のクラッド層側面上方から半導体基板上面にかけて全体を覆うように、第2の導電型の第1の電流遮断層と、第1の導電型の第2の電流遮断層とを順次形成する第2の結晶成長工程と;前記マスクパータンを除去し、第2のクラッド層と、第1の電流遮断層と、第2の電流遮断層との表面に、第2導電型の第3のクラッド層と、第2導電型のオーミック接触層とを順次形成する第3の結晶成長工程と;前記半導体基板の表面に第1の電極を形成し、前記第3のクラッド層の表面に第2の電極を形成する工程とを備えることを特徴とする平面埋込型レーザダイオードの製造方法。
引用特許：
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