特許

J-GLOBAL ID：200903089190183340

シリコン酸化膜の形成方法及びMOSトランジスタのゲート酸化膜

発明者： 柏木 章秀 ,  鈴木 篤 ,  徳永 和彦 ,  鈴木 利彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-104555
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169761
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】タイムゼロ絶縁破壊(TZDB)特性及び経時絶縁破壊(TDDB)特性に優れ、シリコン酸化膜が形成される領域の半導体基板に含まれる欠陥を減少させ得るシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜の形成方法は、(イ)水素ガス100%の雰囲気中にて、1150 ゚C以上の温度で半導体基板10の熱処理を行う工程と、(ロ)半導体基板10上に加湿酸化法にてシリコン酸化膜14を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中でシリコン酸化膜14を熱処理する工程から成る。加湿酸化法はパイロジェニック酸化法とすることが望ましい。また、ハロゲン元素は塩素であることが望ましい。

請求項（抜粋）：

(イ)水素ガス100%の雰囲気中にて、1150 ゚C以上の温度で半導体基板の熱処理を行う工程と、(ロ)半導体基板上に加湿酸化法にてシリコン酸化膜を形成した後、ハロゲン元素を含有する不活性ガス雰囲気中で該シリコン酸化膜を熱処理する工程、から成ることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-022169
  
• 半導体シリコンウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-285666   出願人：九州電子金属株式会社, 住友シチツクス株式会社