特許

J-GLOBAL ID：200903089198544104

固体撮像素子

発明者： 伊澤 慎一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-290004
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126896
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CCD固体撮像素子の出力信号のS/N比を改善する。つまり、ゲート絶縁膜とシリコン基板との界面付近で発生する暗電流に起因する電荷が表面領域に保持され、光電変換動作によって得られた情報電荷に混入するのを防止するCCDを提供する。【解決手段】 シリコン基板11上に形成された複数のチャネル分離領域13の間に、埋め込みチャネルを構成するN型拡散層14が形成され、このN型拡散層14の表面にP型拡散層15が形成される。P型拡散層15は、N型拡散層14よりも浅く形成され、シリコン基板11の表面付近にポテンシャルの障壁を形成する。このポテンシャルの障壁により情報電荷と不要電荷とが分離される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板の一主面に分離領域で区画されて一方向に延在し、上記半導体基板の表面領域とは逆の導電型を示す第1の半導体領域と、上記第1の半導体領域の表面側に上記第1の半導体領域よりも浅く広がり、上記半導体基板の表面領域と同一の導電型を示す第2の半導体領域と、上記半導体基板の一主面上に上記第1及び第2の半導体領域を被って積層される絶縁膜と、上記絶縁膜上に上記第1及び第2の半導体領域と交差し、互いに平行に配置される複数の転送電極と、を備え、上記第1の半導体領域に情報電荷を蓄積すると共に、上記第2の半導体領域の表面側に前記半導体基板と前記絶縁膜との界面付近で発生する電荷を蓄積することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4件)：

H01L 27/148 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F ,  H01L 29/76 301 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• CCD固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-257284   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド