特許
J-GLOBAL ID：200903089198900610

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
武田 健

武田 健 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-357602
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165413
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Si基板1の上に層間絶縁膜3、配線層間膜41、42および43、並びに、保護膜8を形成する。金属配線51、52および53をデュアルダマシン法によりそれぞれの配線層間膜41、42および43に埋め込んで形成する。層間絶縁膜3、配線層間膜41、42および43、並びに、保護膜8を金属配線51、52および53の拡散を防止する単一の金属拡散防止材料から構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された1または複数層の配線層間膜と、 前記1または複数層の配線層間膜のそれぞれに埋め込まれて形成された前記1または複数層の金属配線とを備えた固体撮像装置であって、 前記1または複数層の配線層間膜は、前記金属配線の拡散を防止する単一の金属拡散防止材料から構成される、 ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/14
FI (3件)：
H01L21/90 K ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 D
Fターム (20件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118CA03 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118GC07 ,  4M118GD02 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024HX01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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