特許

J-GLOBAL ID：200903089206478370

ナノギャップ電極の製造方法

発明者： 永瀬 隆 ,  久保田 徹 ,  益子 信郎
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (4件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036568
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247203
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】集束イオンビームを用いた新たなリソグラフプロセスによりナノギャップ電極を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、電極層、金属マスク層をこの順に堆積する層堆積工程と、集束イオンビームを用いて前記金属マスク層をエッチングし、マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターン形成工程において形成されたマスクパターンにより前記電極層をマスクし、ドライエッチングにより前記電極層にパターンを転写するドライエッチング工程と、電極層に比べて金属マスク層を溶解しやすい溶液を用いて前記金属マスク層を溶解除去するウエットエッチング工程とを含むナノギャップ電極の製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、電極層、金属マスク層をこの順に堆積する層堆積工程と、 集束イオンビームを用いて前記金属マスク層をエッチングし、マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、 前記マスクパターン形成工程において形成されたマスクパターンにより前記電極層をマスクし、ドライエッチングにより前記電極層にパターンを転写するドライエッチング工程と、 電極層に比べて金属マスク層を溶解しやすい溶液を用いて前記金属マスク層を溶解除去するウエットエッチング工程と、 を含むナノギャップ電極の製造方法。

IPC (4件)：

H01J37/305 ,  B82B1/00 ,  H01J37/317 ,  H01L21/027

FI (4件)：

H01J37/305 A ,  B82B1/00 ,  H01J37/317 D ,  H01L21/30 551

Fターム (7件)：

5C034BB09 ,  5C034DD01 ,  5C034DD06 ,  5F056AA21 ,  5F056AA40 ,  5F056FA01 ,  5F056FA05