選択的材料付着方法、及びそのために使用されるスパッタリング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-142657
公開番号（公開出願番号）：特開平8-333677
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【課題】付着の均一性または制御性が改善される、傾斜コリメート化スパッタリング装置及び方法を提供する。【解決手段】粒子の軌道の分布を表面に対して90°未満の角度に配向した中心軸の周りで少なくとも一つの座標方向に制限する傾斜ベーンを有するコリメーション・グリッドを使用した傾斜スパッタリングは、ターゲットと付着表面との平行な配向と均一な間隔によって、側壁を含む付着表面上の付着に良好な均一性を与える。また、傾斜コリメート化付着により、フィーチャの部分をマスクとして使用してフィーチャの残りの露出部分だけに付着を行うことによって、サブリソグラフィ・フィーチャ・サイズで付着の制御が可能となる。すなわち、側壁イメージ転写技術を非対称な単独のフィーチャに拡張することができる。付着表面に対する角度が非常に浅いとき、付着した材料は有効表面積が非常に増大した繊維状のテクスチャを有する。

請求項（抜粋）：

前記表面とスパッタリング・ターゲットの表面を互いに平行に配向させる段階と、プラズマの存在下で前記スパッタリング・ターゲットから材料の粒子を離脱させる段階と、前記粒子の一部分の軌道の分布を、前記表面に対して90°未満の角度に配向した中心軸の周りの少なくとも1つの座標方向に限定する段階と、前記粒子の少なくとも一部を前記表面上に付着させる段階とを含む、表面に材料を付着させる方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 G , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-133458 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-115365

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