特許

J-GLOBAL ID：200903089216323897

ハイブリッド型赤外線検出器

発明者： 松下 景一 ,  重中 圭太郎 ,  福田 勝義
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064402
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に形成されたハイブリッド型赤外線検出器の信頼性と感度の向上をはかる。【解決手段】 ハイブリッド型赤外線検出器におけるホトダイオードが形成されている光検出部におけるシリコン方位指数(n11)面基板1がII-VI族化合物半導体と対接する主面に設けられた線状突起2と、この凸部から前記II-VI族化合物半導体に延在したクラック9とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン方位指数(n11)面基板上にII-VI族化合物半導体で構成されたpn接合を備えてなるホトダイオードアレイ状の赤外検出部と、他のシリコン基板上に構成された信号処理回路と、ホトダイオード部で発生した信号電荷を信号処理部に注入するためのバンプ部で構成されたハイブリッド型赤外線検出器において、ホトダイオートが形成されている光検出部におけるシリコン方位指数(n11)面基板がII-VI族化合物半導体と対接する主面に設けられた線状突起と、この突起から前記II-VI族化合物半導体に延在したクラックとを有することを特徴とするハイブリッド型赤外線検出器。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-213174
  
• 半導体光検知器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020009   出願人：三菱電機株式会社