特許
J-GLOBAL ID:200903089241356309

共振回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-235443
公開番号(公開出願番号):特開平8-097613
出願日: 1994年09月29日
公開日(公表日): 1996年04月12日
要約:
【要約】【目的】 Ag、Cuなどからなるリボンインダクタ導体を誘電体セラミック基板と同時に焼成して形成しても、Q値の劣化のない、安定した特性を導出することができる共振回路基板を提供する。【構成】 本発明は、誘電体セラミック基板1に、Ag、Cuを主成分とするリボンインダクタ導体膜2を形成してなる共振回路基板において、前記誘電体セラミック基板1とリボンインダクタ導体膜2との界面に、白金薄膜層8を配置して、誘電体セラミック基板の材料がリボンインダクタ導体膜2に入り込むこと及びリボンインダクタ導体膜2の材料が誘電体セラミック基板への拡散するこを有効に防止した。
請求項(抜粋):
誘電体セラミック基板に、Ag、Cuを主成分とするリボンインダクタ導体を形成して成る共振回路基板において、前記誘電体セラミック基板とリボンインダクタ導体との界面に、白金薄膜層を介在させたことを特徴とする共振回路基板。
IPC (4件):
H01P 7/08 ,  H01F 17/00 ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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