特許

J-GLOBAL ID：200903089241785463

気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法

発明者： 田中 伸昌
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-065913
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243024
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】処理効率の低下を伴うことなく、処理空間内で発生するパーティクルが処理に影響を与えることを抑制できる気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法を提供する。【解決手段】気相成長装置は、被処理基板2が載置される載置面を含むサセプタ3と、被処理基板2を収容する内部空間6を形成し、内部空間6にガス流れが形成される反応管32とを備える。反応管32は、内部空間6に面する表面34aおよび35aを有する回転プレート34および35を含む。回転プレート34および35は、少なくとも被処理基板2よりもガス流れの下流側であってサセプタ3の近傍に位置する箇所とその他の箇所との間で、表面34aおよび35aが入れ替わるように動作する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

被処理物が載置される載置面を含む保持部材と、 被処理物を収容する内部空間を形成し、前記内部空間にガス流れが形成される反応管とを備え、 前記反応管は、前記内部空間に面する表面を有し、前記表面が、少なくとも被処理物よりも前記ガス流れの下流側であって前記保持部材の近傍に位置する箇所とその他の箇所との間で入れ替わるように動作する可動部を含む、気相成長装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (15件)：

5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP15 ,  5F045EC01 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF14 ,  5F045EM01 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-364231   出願人：日本酸素株式会社