気相成長装置及び方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木戸一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185488
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】フローチャンネルに付着した汚れに起因する成長再現性の低下を抑制することができる気相成長装置及び方法を提供する。【解決手段】サセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設け、気相成長終了後の基板をフローチャンネル内から取出した後、フローチャンネルを加熱することにより、フローチャンネルの内壁に付着した汚れを再蒸発させて除去してから次の気相成長操作を開始する。

請求項（抜粋）：

フローチャンネル内のサセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。

Fターム (18件)：

5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045BB14 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EB06 , 5F045EB11 , 5F045EB15 , 5F045EE13 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK07 , 5F045EK08 , 5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-139816
薄膜の成長方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-284233 出願人：信越半導体株式会社
成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-337148 出願人：株式会社東芝

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