特許
J-GLOBAL ID：200903089251409753
水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鐘尾 宏紀
, 野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-045599
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264373
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】レジストパターンに被覆層を施し、レジストパターン近傍の被覆層を変性させることによりレジストパターン表面上に変成された被覆層を形成する際に、ArF対応感放射線性樹脂組成物など撥水性の大きいレジストパターンにおいても十分な膜厚の変性膜を寸法制御性よく形成し、これによってレジストパターンを太らせ、レジストパターンの分離サイズまたはホール開口サイズを実効的に限界解像以下に微細化する或いは測長SEMの電子線照射時のレジストの測長変化を防止する。【解決手段】基板1上に形成されたレジストパターン3上に、水溶性樹脂と酸発生剤を含有してなる水溶性樹脂組成物を塗布して被覆層4を形成する。レジストパターン3及び被覆層4を加熱処理することにより、レジストパターン3の表面に現像液不溶性の変性層5を形成し、現像することによりレジストパターン表面に変性層5を有するパターンを得る。変性層5は、電子線照射時レジストパターンの保護膜としての機能をも有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、水溶性樹脂、加熱により酸を発生することのできる酸発生剤および水を含有する溶媒を含有することを特徴とする水溶性樹脂組成物。
IPC (3件)：
G03F7/40
, G03F7/033
, H01L21/027
G03F7/40 511
, G03F7/033
, H01L21/30 565
, H01L21/30 575
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025BE00
, 2H025FA39
, 2H096AA25
, 2H096EA05
, 2H096HA05
, 2H096LA30
, 5F046JA22
