特許
J-GLOBAL ID:200903089324391076

接合体製造装置及び接合体製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-319724
公開番号(公開出願番号):特開2006-134611
出願日: 2004年11月02日
公開日(公表日): 2006年05月25日
要約:
【課題】接合体の反りの発生を防止することができ、生産性の高い接合体製造装置及び接合体製造方法を提供する。【解決手段】触媒層と電解質膜との接合体または拡散層と触媒層担持電解質膜との接合体を製造する接合体製造装置であって、触媒層及び拡散層のいずれかである複数の転写層を一面に担持させてなる担持基材と、電解質膜及び触媒層担持電解質膜のいずれかである被転写層からなる基材とを、転写層と被転写層とが接触する状態で加熱及び加圧して、連続的に転写層を基材に転写し接合体を形成する加熱加圧手段と、接合体を連続的に冷却及び加圧する冷却加圧手段と、を有し、加熱加圧手段及び冷却加圧手段は、各転写層に対して面接触または複数線接触する接合体製造装置である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
触媒層と電解質膜との接合体または拡散層と触媒層担持電解質膜との接合体を製造する接合体製造装置であって、 前記触媒層及び前記拡散層のいずれかである複数の転写層を一面に担持させてなる担持基材と、前記電解質膜及び前記触媒層担持電解質膜のいずれかである被転写層からなる基材とを、前記転写層と前記被転写層とが接触する状態で加熱及び加圧して、連続的に前記転写層を前記基材に転写し接合体を形成する加熱加圧手段と、 前記接合体を連続的に冷却及び加圧する冷却加圧手段と、 を有し、 前記加熱加圧手段及び冷却加圧手段は、各前記転写層に対して面接触または複数線接触することを特徴とする接合体製造装置。
IPC (2件):
H01M 8/02 ,  H01M 4/88
FI (2件):
H01M8/02 E ,  H01M4/88 K
Fターム (11件):
5H018AA06 ,  5H018AA07 ,  5H018AS02 ,  5H018AS03 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H026AA06 ,  5H026AA08 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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